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中科院“千人计划”学者Morten Willatzen教授做客物理论坛

        2018年3月19日,中国科学院纳米能源所“千人计划”学者Morten Willatzen教授受邀做客物理论坛,做了题为“压电半导体板中固体应变和声子强放大的新应用”的学术报告。Willatzen教授介绍了团队在其领域内近期的研究成果,并与参会师生展开了深入交流。本次报告由万博最新客户端张岩教授主持。
        本次报告介绍了二维拓扑绝缘子的应变和应用、压电半导体板中等离子体频率附近的强声子放大和奇偶校验时间对称声子媒体,以及在近期纳米结构与二维材料中的压电效应。报告内容涉及到物理、材料、化学、电子等领域的交叉研究领域。低维纳米结构压电半导体界面、结区或者表面,压电效应产生的压电电荷对调控低维纳米结构与二维材料器件性质具有十分重要的科学意义。
        报告中,Willatzen教授首先阐述了压电半导体板中等离子体频率附近的强声子放大和奇偶校验时间对称声子媒体中涉及的专业术语,接着介绍了二维拓扑绝缘子的应变与应用,从其物理背景与研究思路角度进行了深入剖析,并在拓扑绝缘体、石墨烯中的光吸收体系,以上述材料中光谱吸收的发现为例给大家介绍了目前这个领域的前沿问题。此课题中涉及到用Bi 2 Se 3的莫尔汉密尔顿函数计算Bi 2Se 3薄膜的吸光度,使用哈密尔顿模型得到应变对Bi 2 Se 3电子结构的影响,并得到使用不变量法推导Bi 2Se 3的第一应变模型;调整吸收光谱,特别是带隙和偏振相关性;可用于增强各向异性光电流的产生;发散吸收度不破坏反转对称性;厚膜的吸光度总是随着应变而增加等结论。
        报告结束后,参会师生积极发言,就自己研究课题与Willatzen教授进行了进一步的探讨。本次报告不仅提升了青年师生的科学素养和对学科前沿及热点问题的认识,同时也为我校从事该领域的师生搭建了一个交流平台。
 
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        Morten Willatzen,资深教授,博士,现就职中国科学院北京纳米能源与纳米系统研究所(BINN)。1989年在奥胡斯大学获得数学和物理硕士学位,1993年在哥本哈根大学获得理论物理学博士学位,1995年在马克斯普朗克研究所获得博士后学位。2017年入选“千人计划”。先后从事超声波流量计研究和技术、数学建模等工作。在纳米材料声学、光学和电学等物理性质研究领域建模、模拟方面的研究基础,特别是压电半导体材料电子学性质方面的研究专长。